器件采用(yòng)PowerPAK? SO-8單體封裝，栅極電荷爲52 nC，輸出電荷爲68 nC均達到(dào)同類産品最佳水(shuǐ)平

　　2019年2月21日，日前Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK SO-8單體封裝的60 V TrenchFET 第四代 n溝道(dào)功率MOSFET---SiR626DP。Vishay Siliconix SiR626DP專門(mén)用(yòng)于提高(gāo)功率轉換拓撲結構的效率，導通電阻比前代器件降低(dī)36%，同時(shí)栅極電荷和(hé)輸出電荷達到(dào)同類産品最低(dī)水(shuǐ)平。

　　日前發布的器件10 V條件下(xià)最大(dà)導通電阻降至1.7 mW，栅極電荷僅爲52 nC，輸出電荷爲68 nC，COSS爲992 pF。在功率轉換應用(yòng)中，這(zhè)款MOSFET的栅極電荷與導通電阻乘積和(hé)輸出電荷與導通電阻乘積優值系數 (FOM) 分别比前代器件降低(dī)32 %和(hé)45 %。MOSFET的COSS降低(dī)69 %。

　　SiR626DP改進了(le)技術規格，經過調校最大(dà)限度降低(dī)導通和(hé)開(kāi)關損耗。器件提高(gāo)了(le)AC/DC拓撲結構同步整流，隔離式DC/DC拓撲結構原邊和(hé)副邊開(kāi)關效率，适用(yòng)于太陽能(néng)微型逆變器和(hé)通信、服務器、醫(yī)療設備電源、電動工(gōng)具和(hé)工(gōng)業設備電機驅動控制、電池管理(lǐ)模塊的電池切換。

　　MOSFET經過100% RG和(hé)UIS測試，符合RoHS标準，無鹵素。

　　SiR626DP現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量産。産品供貨周期爲30周，視(shì)市場情況而定。