全球存儲芯片價格連漲兩年，手機廠(chǎng)商等下(xià)遊廠(chǎng)商怨聲載道(dào)接連投訴後，三大(dà)存儲芯片巨頭終于迎來(lái)了(le)中國反壟斷機構的調查。
據報(bào)道(dào)，5月31日，中國反壟斷機構派出多個工(gōng)作(zuò)小(xiǎo)組，分别對(duì)三星、海力士、美(měi)光三家公司位于北京、上(shàng)海、深圳的辦公室展開(kāi)“突襲調查”和(hé)現(xiàn)場取證，标志着中國反壟斷機構正式對(duì)三家企業展開(kāi)立案調查。
對(duì)此，三星中國公司相關負責人對(duì)媒體确認了(le)上(shàng)述消息，“5月31日有過現(xiàn)場調查，目前我們正在協助調查，中國三星在接受問詢當中。”
存儲芯片連漲兩年，勢頭不減
自(zì)2016年三季度以來(lái),存儲芯片價格上(shàng)漲周期已經持續了(le)近兩年時(shí)間，且仍沒有停止的迹象。據有關數據，從(cóng)2016年6月1日到(dào)2018年2月1日，4GB的DRAM内存價格上(shàng)漲了(le)130%。僅在2017年，DRAM内存價格就上(shàng)漲了(le)47%，創下(xià)近30年來(lái)最大(dà)漲幅。
信達證券認爲，本次存儲器價格大(dà)幅增長的原因主要有兩個：一是下(xià)遊需求快(kuài)增長，随着雲計(jì)算(suàn)、物聯網、大(dà)數據、汽車電子、消費電子等産業的快(kuài)速發展，存儲器的需求越來(lái)越高(gāo)，以智能(néng)手機爲例，除蘋果在運行内存方面比較保守，4GB内存已成爲安卓千元機标配，内存需求越來(lái)越高(gāo);二是供給端産能(néng)下(xià)降，DDR3升級到(dào)DDR4，DRAM産能(néng)轉去生産3DNAND，部分存儲器廠(chǎng)商由生産2DNAND轉向生産3DNAND，建廠(chǎng)周期較長影響了(le)存儲芯片的供應。
此外(wài)，高(gāo)度集中的市場格局也(yě)是存儲芯片價值保持高(gāo)位的重要原因。目前，三星、海力士、美(měi)光是全球三大(dà)存儲芯片巨頭，在DRAM(動态存儲)、NAND Flash(閃存)兩大(dà)産品線中占據全球絕大(dà)多數市場份額。
根據市場調研機構發布的數據，在DRAM市場，三星、海力士、美(měi)光的市場份額分别爲44.5%、27.9%、22.9%，三家合計(jì)占比95.3%，幾乎壟斷整個市場;在NAND市場，三星、海力士、美(měi)光的市場份額分别爲39%、10.5%、11.3%，三家合計(jì)也(yě)高(gāo)達60.8%。
存儲芯片漲價潮讓三家公司賺得盆滿缽滿。根據美(měi)光、三星、海力士财報(bào)統計(jì)，2017年，三家公司的半導體業務在中國營收分别爲103.88億美(měi)元、253.86億美(měi)元、89.08億美(měi)元，總計(jì)446.8億美(měi)元，同比2016财年的321億美(měi)元增長39.16%。
尤其是三星公司，在Note7"爆炸門(mén)"後，其手機品牌形象受到(dào)重創。但(dàn)是，三星在手機市場上(shàng)喪失的利潤，卻在芯片領域加倍要了(le)回來(lái)。财報(bào)顯示，2017年三星營收239.58兆韓元(約合2238億美(měi)元)，同比增長18.7%，營業利潤53.65兆韓元(約合501.7億美(měi)元)，同比增長83.5%，淨利潤42.19兆韓元(約合394.6億美(měi)元)，同比增長85.7%。
2017年，半導體業務營業收入隻占三星總營收的20%，但(dàn)貢獻了(le)65.64%的淨利潤。其中，三星半導體業務在中國營收253.86億元，占半導體業務總營收近51%。憑借着半導體業務的強勢增長，三星在全球芯片市場的排位更是在去年第二季度超過了(le)老(lǎo)大(dà)英特爾。
根據相關規定，可以讓這(zhè)些(xiē)企業繳納銷售額1%-10%的罰款，這(zhè)次反壟斷調查，如果裁定三大(dà)巨頭存在價格壟斷行爲，以2016-2017年度銷售額進行處罰，那麽罰金(jīn)将在8億美(měi)元-80億美(měi)元之間。
中國廠(chǎng)商成漲價最大(dà)受害者
目前，中國是全球最主要的存儲芯片消費國。根據研究公司TrendForce提供的數據顯示，中國消耗了(le)全球20%的DRAM内存芯片和(hé)25%的NAND閃存芯片。海關數據顯示，2017年中國進口存儲器889.21億美(měi)元，同比2016年的637.14億美(měi)元增長了(le)39.56%。
三星内存條
芯片價格飙漲讓中國的手機廠(chǎng)商等承受了(le)巨大(dà)的成本壓力，一時(shí)間中國智能(néng)手機市場也(yě)被迫掀起了(le)一波漲價潮。去年12月，曾有手機廠(chǎng)商因爲存儲器價格上(shàng)漲和(hé)供應不暢，向發改委對(duì)三星提出了(le)檢舉。
今年4、5月份，有美(měi)國消費者也(yě)對(duì)三星等廠(chǎng)商進行了(le)指控，稱其操控内存行業零售價格。4月27日，美(měi)國律師事(shì)務所Hagens Berman在加州北部地區(qū)法院對(duì)美(měi)光、三星、海力士發起反壟斷集體訴訟。該律師事(shì)務所稱，調查顯示，DRAM制造商協商同意通過限制DRAM的供應來(lái)提高(gāo)DRAM的價格。
事(shì)實上(shàng)，存儲芯片寡頭之間形成價格聯盟并非首次。三星曾被指控從(cóng) 1999 年到(dào) 2002 年人爲擡高(gāo) DRAM 價格。海力士也(yě)被指控價格壟斷陰謀。2002年，美(měi)國司法部向美(měi)光、三星、海力士、英飛(fēi)淩等公司的價格壟斷行爲展開(kāi)調查。
2005-2006年，三星、海力士、英飛(fēi)淩、爾必達先後承認價格壟斷行爲，别被罰款3億美(měi)元、1.85 億美(měi)元、1.6 億美(měi)元、8400萬美(měi)元，總計(jì)7.29 億美(měi)元。美(měi)光因率先認罪并協助調查而免于處罰。
三大(dà)陣營穩步推進，2019年有望成國産存儲芯片量産元年
爲了(le)擺脫受制于人的局面，掌握行業話(huà)語權，中國在芯片領域重金(jīn)投入。研究機構指出，中國存儲器産業目前以投入NAND Flash市場的長江存儲、專注于行動式内存的合肥長鑫，以及緻力于利基型内存晉華集成三大(dà)陣營爲主。以目前三家廠(chǎng)商的進度來(lái)看(kàn)，其試産時(shí)間預計(jì)将在2018年下(xià)半年，随着三大(dà)陣營的量産的時(shí)間可能(néng)皆落在2019年上(shàng)半年，揭示着2019年将成爲中國存儲器生産元年。
長江存儲
2015年11月，紫光國芯發布定增額度預案，在存儲器領域投入932億元建設存儲芯片工(gōng)廠(chǎng)。而後，又認購多家半導體存儲器領域封測廠(chǎng)股份，并在收購武漢新芯後成立長江存儲，着力發展大(dà)規模存儲器。
今年4月5日，長江存儲首批400萬美(měi)元的精密儀器開(kāi)始進場安裝，标志着國家存儲器基地從(cóng)廠(chǎng)房建設階段進入量産準備階段。5月19日，價值7200萬美(měi)元的首台193nm浸潤式光刻機抵達武漢，将成爲長江存儲的第一台光刻機，用(yòng)于生産14nm~20nm工(gōng)藝芯片。
根據長江存儲規劃，預計(jì)7月底或8月初具備試生産條件，年内将可産出5000片32層三維NAND閃存芯片;2019年，32層三維NAND閃存芯片産量将提升至每年10萬片，當年年底試産64層三維NAND閃存芯片;2020年，64層三維NAND閃存芯片産能(néng)将提升至每年10萬片，并研發具有全球先進水(shuǐ)平的128層三維NAND閃存芯片。
長江存儲重點聚焦的是64層3D NAND芯片。如果一切進展順利，長江存儲2019年開(kāi)始量産64層的3D NAND閃存，屆時(shí)他(tā)們與三星等大(dà)廠(chǎng)的差距就可縮短在2年以内。
福建晉華
國家重點支持DRAM存儲器生産項目，由福建省電子信息集團及泉州、晉江兩級政府共同投資。項目被國家納入了(le)“十三五”集成電路重大(dà)生産力布局規劃項目列表，并獲得首筆(bǐ)30億元人民币的國家專項建設基金(jīn)支持。
2016年5月，福建晉華宣布與聯電合作(zuò)，将結合台灣的半導體制造能(néng)力以及中國大(dà)陸的市場與資金(jīn)。由聯電在台灣進行技術研發，晉華提供DRAM特用(yòng)裝備，技術成果爲雙方所共同擁有，共同角逐市場份額。
有關媒體報(bào)道(dào),福建晉華集成電路公司的生産線設備安裝将于7月底完成，三季度實現(xiàn)大(dà)規模量産，預計(jì)達到(dào)6萬片/月的産能(néng)規模。
合肥長鑫
早在2013年，合肥市政府便出台了(le)《合肥市集成電路産業發展規劃(2013—2020年)》。規劃提出，合肥将重點發展芯片設計(jì)業和(hé)特色晶圓制造，計(jì)劃到(dào)2020年，實現(xiàn)現(xiàn)綜合産能(néng)超10萬-15萬片/月。
據Digitimes報(bào)道(dào)，合肥長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地所需的300台研發設備已基本全部到(dào)位，待裝機完成之後，從(cóng)2018年下(xià)半年開(kāi)始便全力投入試生産的環節。
2018年4月15日，長鑫存儲技術有限公司的董事(shì)長王甯國在合肥集成電路重大(dà)項目發布會(huì)上(shàng)表示，合肥長鑫DRAM内存芯片一期(一廠(chǎng)廠(chǎng)房)已于2018年1月完成建設，并開(kāi)始安裝設備;2018年底就将開(kāi)始生産8Gb DDR4存儲器的工(gōng)程樣品;2019年底有望達到(dào)2萬片/月的産能(néng);2020年再開(kāi)始規劃二廠(chǎng)廠(chǎng)房的建設;2021年要完成對(duì)17nm工(gōng)藝節點的技術研發。王甯國表示，希望 2018 年底第一個中國自(zì)主研發的 DRAM 芯片能(néng)夠在合肥誕生。在将來(lái)，合肥長鑫希望憑借自(zì)身的DRAM IDM平台，來(lái)大(dà)力扶持處在行業上(shàng)遊的、國産半導體設備與材料的研發和(hé)産業化的進程。
業界預計(jì)，合肥長鑫存儲項目正式投産後，将占據世界DRAM市場約8%的份額。 |
